☞【新闻1】美光推进DDR5内存芯片，2019年底量产
尽管JEDEC（固态存储协会）的DDR5标准尚未定案，Cadence（铿腾）和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品，并计划在2019年底量产。事实上，早在今年5月，Cadence就展示了首款DDR5内存验证模组，DRAM来自美光，接口层自研，采用台积电7nm工艺，数据率可达4400MT/s，也就是频率高达4400MHz。
根据美光的最新说法，其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产，基于18nm以下工艺，这就意味着，搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。
按照进度，JEDEC有望年底公布DDR5最终规范，起步频率4800MHz，最高6400MHz。其它规划中的变化还有，电压降低、每通道32/40位（ECC）、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。
由于AMD要支持AM4接口到2020年，看来已经做好技术预留了？


其实镁光2019年是量产16Gb DDR4的颗粒，一定是这样的。要不然除非镁光想说他想在一年之类实现单条32G。我就是想给我能1200买32G找个理由而已！一切都怪棒子这波操盘啊！

☞【新闻2】三星最新SSD路线图曝光，QLC闪存硬860 QVO/980 QVO曝光
在今天开幕的三星Tech Day会议上，三星不仅宣布了7nm EUV、16Gb GDDR6显存等新工艺、新产品及新技术，SSD方面也更新了路线图，未来的重点就是96层堆栈的3D TLC闪存以及QLC闪存，其中TLC闪存阵容扩大，多款新品性能提升，容量最大可达30.72TB，而QLC闪存无疑是下一步的重点，除了1Tb核心的还会有512Gb核心的，性能更好，功耗更低，消费级的QLC硬盘860 QVO、980 OVO也确定了，不过规格没公布。
Anandtech网站详细介绍了三星SSD产品路线图的变化，首先来看TLC闪存方面的。
目前64层堆栈3D TLC闪存的970 EVO、PM981将会被新的970 EVO Plus、PM981a取代，容量没变化，依然是250GB到2TB，主要提升在连续写入方面，不过PM981a的随机性能也明显提升了可以达到970 EVO及970 EVO Plus的水平。
用于数据中心SSD市场的PM983将被PM983a取代，容量翻倍，最高可达16TB，可能只有NF1、U2规格，也没有使用SLC缓存，这使得写入速度会比消费级硬盘更低，不过性能依然是有提升的。
PM991将取代NVMe BGA封装的PM971a硬盘，随机性能翻倍，连续读写速度提升了50%。
企业级SAS产品线中，PM1643将会被PM1643a取代，整体变化不大，主要是随机写入性能提升20%，最大容量依然是30.72TB。
最高端的企业级NVMe硬盘升级了新主控及新闪存，支持PCIe 4.0，因此性能大幅提升，PM1723a目前的速度不过3.5GB/s，新的PM1733硬盘可达8GB/s，最大容量也达到了SAS产品线同级别的30.72TB。此外，PM1733还支持双口PCIe，为高可靠性用户带来了更多的选择。
QLC闪存新增512Gb核心颗粒，860 QVO、980 QVO确认

在说具体的QLC产品之前，Anandtch解释了三星的MLC/TLC/QLC硬盘的命名规则，企业级/OEM产品线中，MLC闪存用SM开头，TLC闪存用PM开头，QLC闪存用BM开头。
在SSD产品中，企业级SAS产品线新增BM1653新品，NVMe产品线新增BM9A3、BM1733产品线，客户端NVMe新增BM991产品线，不过三星并没有公布这些QLC硬盘的具体规格。
消费级QLC硬盘中，三星会推出SATA接口的860 QVO、NVMe标准的980 QVO，这些产品在OEM中找不到，因此可以认为是零售市场的新品，不过具体规格还是没公布，发售计划也没有提及。
此外，三星在2019年Q2季度还会推出512Gb核心容量的QLC闪存，虽然容量比现在的1Tb QLC闪存小了，但是延迟降低了37%，功耗降低了45%，这还是三星用它跟别家1Tb核心QLC闪存对比的，如果对比三星自家的1Tb核心QLC闪存，差距只会更大。

三星面向低延迟SSD市场的Z-SSD系列中还会增加第二代产品SZ1733及SZ1735，容量提升到4最大4TB，明显比第一代的SZ985的800GB大得多，它支持PCIe 4.0及双口PCIe，因此连续速度可达12GB/s，不过最重要的随机性能没有提及。
三星还提到二代Z-SSD会有MLC版本，但Anandtech又说这些产品还是SLC版本。
win8吐槽： 以前SM951和PM951都要争论半天，天天扯TLC多不好MLC多好。很快的了，马上就要变成PM系列多好，BM系列多不好了。最近的固态市场明显可以看到大容量硬盘价格是越来愈便宜了。什么799 750G，999 1T之类的。平时装机可以考虑直接上一个500G固态了。哪怕SATA也好，除非你要装好多小电影，不然一块500G，甚至750G就够了。

☞【新闻3】三星最强NVMe移动固态硬盘X5开卖，2TB版售价10999元
你们的移动硬盘都多大容量、速度如何？对这个问题，大部分人可能还在用HDD机械盘的移动硬盘，容量500GB或者1TB倒是很轻松，不过速度就一般般了，给了USB 3.1 Gen2接口也没用。对性能有追求的会考虑移动固态硬盘，三星之前推出的T3/T5系列速度可达500MB/s，跟普通SATA硬盘差不多。8月底三星发布了X5系列新一代移动固态硬盘，不同的是这是首个NVMe标准的移动固态硬盘，读取速度可达2800MB/s，写入速度2300MB/s，这速度比很多人的M.2硬盘都要快，所以只能使用40Gbps的雷电3接口，不是这个接口都不能用。今天开始三星X5移动固态硬盘上市了，500GB版售价3099元，1TB版售价5399元，2TB版则要10999元。
X5移动SSD是三星第一款支持NVMe协议的移动SSD硬盘，或者说是第一款支持NVMe的移动硬盘，因此性能比普通移动硬盘快得多，读取速度达到了2800MB/s，写入速度也有2300MB/s（500GB版是2200MB/s），号称是SATA硬盘的5.2倍性能，是普通移动硬盘的25倍性能，所以这个性能只有40Gbps的雷电3接口才有可能实现，普通的USB接口下性能不过1GB/s左右，已经成为瓶颈，所以入手这个产品之前，先看看电脑的接口再说。
三星X5移动固态硬盘里面其实就是塞入了970 EVO硬盘，为了保证散热效果，体积达到了119x62x19.7毫米，比之前的T5移动硬盘要大一些，重量也从50克增加到了150克。
售价方面，三星X5移动SSD硬盘有500GB、1TB及2TB三个容量，售价分别是399.99美元，699.99美元及1399.99美元，折合人民币2720、4761、9522元。今天国行也正式开卖了，京东旗舰店上已经开始预约，500GB版售价3099元，1TB版售价5399元，2TB版售价10999元，这个价格相比美元无税价格没有溢价很多，三星这次的定价实在多了。

win8吐槽：2T 970EVO才4000不到而已。NVMe转U3.1大概200-300，转雷电3大概1000-2000.剩下5000，没错，就是买信仰。其实不明白为什么intel没心思继续研究Optane了。现在棒子是太嚣张，导致为所欲为啊。当然抛开这超低的性价比，单纯论性能而言，这速度真的没得比，自制的基本达不到这种速度，而且还会很热。有时候，游戏玩家就会为了这一点点性能去牺牲选所谓性价比更低的东西，这就是游戏玩家和云玩家的区别。

☞【新闻4】业界跳票的好榜样！英特尔称10nm并没有胎死腹中，进展良好
不久之前有一份报道称，英特额 10 纳米工艺在经历过去几年的多次延迟和量产问题之后，公司已决定放弃 10 纳米工艺的芯片生产。不过，现在事情出现了反转，英特尔官方已经澄清这一传闻是“不真实”的，并且在这一工艺上已经取得“良好进展”。
之前的报道主要基于一份未经证实的英特尔内部消息，声称 10 纳米工艺的生产太过于苦苦挣扎，当前英特尔已经有效扼杀，关于该节点的开发已经终止。不过这份所谓的内部消息没有提供任何更多的细节，唯一不断重复传达的意思就是“英特尔 10 纳米工艺确实已经死亡”。
10 月 23 日，英特尔官方在周四公布财报时对此谣言进行了反驳。英特尔官方 Twitter 发文称，关于自家 10 纳米工艺失败的报答是完全错误的，并表示“我们在 10nm 制程上取得了良好的进展”。英特尔进一步指出，根据收益报告当前收益率正在迅速提升。

英特尔在 Twitter 上写到：“英特尔将结束 10nm 制程研发的媒体报道是不真实的。我们在 10nm 上取得了很好的进展。收益率正在改善，这与我们在上一份财报中分享的时间一致。”
按照之前的报道分析，英特尔终止目前正在研发的 10 纳米工艺对其本身来说是一件好事，并认为这是多年以来看到的第一个关于英特尔“终于成年了”的决定。
说实话，考虑到迄今为止英特尔在 10 纳米开发过程中已耗费了大量的精力和资源，毅然放弃现有的项目似乎是不太可能的，而且这是一项十分重大的举措，并不太可能在临时 CEO 鲍勃•斯旺(Bob Swan)的监督下执行，至少需要一位稳重成熟上位已久的 CEO 对此决策进行审议。
今年 9 月底，鲍勃•斯旺在“Supply Update”公开信中提到，英特尔 10 纳米工艺正不断“取得进展”，产能正在提高，并且有望在 2019 年的某个时间点实现大规模量产。实际上，英特尔当前虽然已有公布的 10 纳米芯片，其 Cannon Lake 平台就是第一代采用 10 纳米工艺制程的芯片，但迄今为止该平台也只有一款处理器而已。
尽管英特尔的 10 纳米芯片在量产上一再推迟，但公司目前主要努力在 14 纳米工艺制程的处理器上，目标是让产能得以跟上需求。据报道，英特尔除了在全球增加芯片制造基地的投资外，还将其 14 纳米部分非处理器的产品生产外包给竞争对手台积电，其中包括其 H310 和其他 300 系列芯片组。
对于电脑产业而言，先不说 10 纳米芯片的性能收益，但对降低功耗很有帮助，因为 Cannonlake 笔记本电脑芯片支持 LPDDR4 内存。虽然今年 7 月份苹果新推出的 15 英寸 MacBook Pro 笔记本电脑内存支持更进一步，已支持 32GB 容量的 DDR4 内存，但如果换上支持 LPDDR4 内存的处理器，在使用耗电更少的内存的情况下，将更有助于延长电池续航。
另外，一直有消息称，因为英特尔多年来不断延迟既定线路图的缘故，苹果已经计划在 2020 年或 2021 年推出基于 ARM 自主定制的 Mac 芯片的产品，虽然不会全部过渡，但至少在一些先行的产品上，未来不再受限于英特尔芯片难产的问题，而且更高的控制权也更有助于苹果创造不同于英特尔芯的产品。
win8吐槽：英特尔10nm进展非常顺利，特别是跳票这个程序，非常顺利。我记得10nm从16年就说过了，跳票到现在。现在跳票到了2020年。不过比起这个，intel终于放弃了14nm把芯片组这些东西交给台积电代工了。果然架子放下来务实才是正确的啊。不过短期牙膏厂估计也搞不出什么大动静了。酷睿也玩完了，该搞点新东西了。

☞【新闻5】三星、SK Hynix研发EUV工艺的DRAM芯片，内存成本更低
与台积电在7nm节点抢先完成布局不同，三星在7nm节点要慢了一些，上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产，很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺，没有使用过渡工艺，这要比英特尔、台积电都激进得多。除了逻辑工艺升级到EUV工艺，三星在未来的1Ynm工艺的DRAM内存芯片生产上也在研究EUV工艺，而他们也不是唯一的一家，SK Hynix也被曝研发EUV工艺的DRAM芯片，只有美光在这方面比较保守。
不论是处理器芯片还是存储芯片，现在的半导体生产几乎都离不开光刻机，上不上EUV光刻工艺主要是看需求及成本，逻辑芯片工艺对EUV工艺是最有需求的，7nm被公认为大量应用EUV工艺的节点，越往下就越依赖EUV工艺。
DRAM内存对EUV工艺需求并不迫切，毕竟目前最先进的DRAM工艺依然在18nm以上，所以美光之前表态即使到了1α及1β工艺工艺节点，也没有必要使用EUV工艺。
美光不用不代表其他DRAM厂商不用，三星对EUV工艺是最激进的，此前被爆在1Ynm节点就会尝试EUV光刻工艺，最快在2020年量产EUV工艺的1Ynm内存芯片。
来自韩国媒体的消息，除了三星之外，SK Hynix在韩国利川市新建DRAM工厂，也在研发EUV工艺的DRAM内存芯片。
使用EUV工艺的好处是可以提高光刻精度，减小线宽，降低内存单位容量成本，不过EUV工艺目前还不够成熟，产能不如普通的光刻机，这还需要时间改进。
win8表示： 哎，没什么好说的，跳过吧。该骂的都骂了，该奶的也奶了。没意思。

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看到最后我以为我点了只看楼主
摸摸头

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辛苦了