芯片原理简介
MAX1771的外围电路极其简单，几乎不需要我们去设计什么，只需要将反馈电阻设计好就行了。但是外围简单的电路往往内部不简单。我们来看一下外围电路如此简单的芯片的内部结构是怎么样的。

搜了好久资料，自己也研究了好久，愣是没把RS锁存器部分的详细工作原理看懂，还需要查一些文献才能看懂。
不过看不懂具体工作原理毫不影响我们的设计。
MAX1771有8个引脚，官方的Boost电路图如下：

可以看到，这是一个经典的Boost电路模型，其中2脚为V+，电源的芯片引脚。我们在这里给的是12V。
REF引脚由芯片内内部结构可知是一个电压基准源，为了提供和Feedback引脚相比较的电压。由于集成芯片内部不容易集成大电容（大电容体积比较大），所以这里需要外置一个电容进行稳压。0.1uF就行。
SHDN为芯片的使能引脚，低电平有效。可以把此引脚拉高使芯片处于待机状态。
AGND和GND是模拟地和数字地，连接后共同接地就行。
EXT为芯片的脉冲输出引脚，直接与MOS的Gate相连提供脉冲驱动MOS管。
CS为芯片的电流控制引脚，由芯片内部的结构图可知，此引脚输入到了一个电压比较器，比较电压为0.1V，当此引脚的电压大于0.1V时，芯片停止工作。在Boost电路图中，此引脚的输入电压为
FB引脚为Feedback引脚，芯片就是通过此引脚感受外部的输出电压，从而调节占空比来调节输出电压趋于稳定状态。

详细引脚定义可以参考手册：

外围电路设计：
设计要求：Vin=12V，Vout=170V
MAX1771芯片的外围电路太简单了，以至于我们可以几乎不用怎么设计。。。
MOS管：由于输出电压较高，所以需要耐压值较高的MOSFET，建议选择耐压值250V以上MOS，其内阻越低越好。考虑到成本和体积限制，我选用的是IRFR224。其他的还有很多低内阻的MOS可以选择，例如TK8P65W等等。
反馈电阻：芯片的参考电压为1.5V，两个电阻对输出电压进行分压之后送入FB引脚进行反馈。显然，其中电阻的选择公式如下

这里我们选择R2=1.8MΩ，R1=16KΩ。
3. Rsense：Rsense为电流控制电阻，控制着MOS管的最大电流，可以防止意外情况发生，诸如输出短路引起MOS烧毁。这里要根据我们的需求进行选择。假设我们要求输出20mA的最大电流，效率80%情况下， 可计算得到最大的Ids=354mA，此时由于比较电压为0.1V，可计算得到Rsense的最小值为0.1V/354mA=282mΩ。但是往往我们不这样做，因为这样子计算出来的Rsense非常大，会严重影响效率。对于这里，我们不需要对输出电流进行太大限制，所以我们适当选择一个防止输出短路引起MOS发烫烧毁就好，我设计时选择的限流电阻为50mΩ。

电感选择：根据手册
这里的Ilim在手册中没找到，应该是最大电流（I Limit），也就是通过电感的最大电流。我们假设输出为20mA的情况下，由上面的计算得到I=354mA，代入Vin=12V可以得到L>34uH，手册中给的最佳电感范围是10uH~300uH，挺好。

输出电容:输入电容选择100uF的电容就行，越大越好。输出电容选择10uF就够用了，此处不多做分析。

做出成品的模块如下图，

板子回来后便迫不及待的把原件都弄好了，其中有一个不确定性的就是电感的选择。一开始我们计算的是34uH，但是实测用68uH电感的时候会有明显的电感啸叫声，于是加大电感，100uH，220uH，330uH，680uH，实测220uH的时候已经听不到啸叫声了。由于电感太大的时候带载能力太弱，所以就选用了220uH的电感。

实测数据：

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这是楼主根据那位大佬的图做的，成功了，不过测试过程中170输出不小心碰到了4脚，芯片已卒。。。