氮化硅是什么化合物
氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料，硬度大、耐磨损。
氮化硅结合碳化硅试样在静态熔融电解质 中的腐蚀, 截取 4mm 抛光,清洗干燥后, 用分析天平称量初始质量, 后埋于装有电解质的石墨坩埚中进行试验,腐蚀 温度为 850e 电解质组成为冰晶石( Na3A lF6 5%CaF2、5% l2O3腐蚀主要发生在 动力学曲线如图5所示, 并且随时间增加而增大,这主要是由于电解 质渗透到试样的空隙中腐蚀 15 小时后增重率 随时间的增加而下降, 这是由于随着时间增加, 腐蚀加重, 有气体溢出25小时后曲线趋向平 增重率基本不变,腐蚀速率明显减小腐蚀 主要发生在前 25小时, 之后由于生成了高粘度 NaAlSiO4, 有效阻止了腐蚀的继续进行。
在电 /气相界面处腐蚀特别严重,这主要是因 为电解质与气体的共侵蚀作用 16]可能的腐蚀 机理为: 2SiO2 NaAlF4 NaAlSiO42Si3 N4 氮化硅材料在熔盐中的腐蚀,受到氧分压、 温度、阳离子活度、碱度等一系列因素的影响, 于蚀坑和裂缝的出现,材料的强度显著下降 16](硅含量) 试样 23139% 小结氮化硅材料受熔盐腐蚀主要是因为 护膜被熔盐溶解,一般形成硅酸盐, 腐蚀产物在 高温时成液态, 氧气通过液态硅酸盐进入基体具 有更快的扩散速率, 形成的大量 SiO2继续溶解。
而且材料腐蚀过程中有气体溢出, 使基体材料与 氧气接触, 增强了腐蚀力度, 材料表面形成蚀坑 根据材料的腐蚀机理, 提高材料的抗腐蚀性可以 从以下两个方面考虑: 第一, 增加材料的致密性可以考虑改善材 料的制备工艺, 如加入添加剂提高材料的致密 度有报道研究了添加各种氧化物如 Al2 O3, Y2 O3, MgO的氮化硅材料的腐蚀性, 发现添加剂可 增强材料的致密性, 但形成的玻璃相使氧气能快 速通过, 增强了材料的氧化但 Schlicht ing发现 在某些情况下, 添加 O3形成的化合物阻碍了氧气的扩散, 可以降低反应速率 12]另外在烧结 方法上, 热等静压反应烧结氮化硅较反应烧结氮 化硅材料显示出较好的抗腐蚀性。
陶瓷配件，找老郭：前面三位182，中间5847，最后5005
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在电 /气相界面处腐蚀特别严重,这主要是因 为电解质与气体的共侵蚀作用 16]可能的腐蚀 机理为: 2SiO2 NaAlF4 NaAlSiO42Si3 N4 氮化硅材料在熔盐中的腐蚀,受到氧分压、 温度、阳离子活度、碱度等一系列因素的影响, 于蚀坑和裂缝的出现,材料的强度显著下降 16](硅含量) 试样 23139% 小结氮化硅材料受熔盐腐蚀主要是因为 护膜被熔盐溶解,一般形成硅酸盐, 腐蚀产物在 高温时成液态, 氧气通过液态硅酸盐进入基体具 有更快的扩散速率, 形成的大量 SiO2继续溶解。
而且材料腐蚀过程中有气体溢出, 使基体材料与 氧气接触, 增强了腐蚀力度, 材料表面形成蚀坑 根据材料的腐蚀机理, 提高材料的抗腐蚀性可以 从以下两个方面考虑: 第一, 增加材料的致密性可以考虑改善材 料的制备工艺, 如加入添加剂提高材料的致密 度有报道研究了添加各种氧化物如 Al2 O3, Y2 O3, MgO的氮化硅材料的腐蚀性, 发现添加剂可 增强材料的致密性, 但形成的玻璃相使氧气能快 速通过, 增强了材料的氧化但 Schlicht ing发现 在某些情况下, 添加 O3形成的化合物阻碍了氧气的扩散, 可以降低反应速率 12]另外在烧结 方法上, 热等静压反应烧结氮化硅较反应烧结氮 化硅材料显示出较好的抗腐蚀性。
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