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深圳市尊信电子技术有限公司
谢星星女士：13168768845
wx：zunxin20210305
欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息
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我们不但 麦芯片，还提供方案技术支持，解放您的工程师，缩短开发周期
免费提供样板测试——————————————————
★★★★★★★★★★★★★★★★★
XBM3211管脚兼容HY2120. 但注意：XBM3211贴1K电阻， HY2120 贴330ohm电阻
★★★★★★★★★★★★★★★★★
1）主要功能：
过充 4.28V+/-25mV 过放2.8V+/-80mV 充电过流与放电过流---200mV+/-30mV 短路保护
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2）主要延时参数： 过充延时 0.8S 过放延时 100ms 过充延时 0.8S 过放延时 100ms 充电过流延时 10ms 放电过流延时：10ms 短路延时200us——————————————————
3）芯片自耗电： 静态电流（5uA TYP 9uA MAX） 关机电流（0.1uA MAX）——————————————————
4）支持0V充电
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5）耐压(PB+)-(PB-)>33V
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XBM3211——————————————————
OD：充电控制用 MOSFET 门极连接端子； OC：放电控制用 MOSFET 门极连接端子； VM： 过电流检测输入端子；
VDD ：正电源输入端子， 电池 1 正极连接端子 ；
VC： 电池 1 负极、 电池 2 正极连接端子 VSS：接地端， 负电源输入端子， 电池 2 负极连接端1)
VDD、VC相连的1Kohm+0.1uF滤波和采样电 路，要求靠近各自拼脚，并且就近接VSS 2）均衡MOSFET电阻决定均衡电流大小，选型 时必须考虑电阻可承受的耗散功率并留出50%余 量 3）
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XBM3211管脚兼容HY2120. 但注意：XBM3211贴1K电阻， HY2120 贴330ohm电阻
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1）主要功能：
过充 4.28V+/-25mV 过放2.8V+/-80mV 充电过流与放电过流---200mV+/-30mV 短路保护
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2）主要延时参数： 过充延时 0.8S 过放延时 100ms 过充延时 0.8S 过放延时 100ms 充电过流延时 10ms 放电过流延时：10ms 短路延时200us——————————————————
3）芯片自耗电： 静态电流（5uA TYP 9uA MAX） 关机电流（0.1uA MAX）——————————————————
4）支持0V充电
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5）耐压(PB+)-(PB-)>33V
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OD：充电控制用 MOSFET 门极连接端子； OC：放电控制用 MOSFET 门极连接端子； VM： 过电流检测输入端子；
VDD ：正电源输入端子， 电池 1 正极连接端子 ；
VC： 电池 1 负极、 电池 2 正极连接端子 VSS：接地端， 负电源输入端子， 电池 2 负极连接端1)
VDD、VC相连的1Kohm+0.1uF滤波和采样电 路，要求靠近各自拼脚，并且就近接VSS 2）均衡MOSFET电阻决定均衡电流大小，选型 时必须考虑电阻可承受的耗散功率并留出50%余 量 3）
