深圳市尊信电子技术有限公司
谢星星女士：13168768845
wx：zunxin20210305
欢迎行业客户联系，获取datasheet、报价、样片等更多产品信息
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【方案】我们不但 麦芯片，还提供方案技术支持解放您的工程师，缩短开发周期免费提供样板测试；
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除了百瓦快充以外，手机厂商还推出了更大功率的手机快充，采用超过5A的输出电流来满足大功率充电的需求，从而压缩手机的充电时间。这就要求充电器的连接器需要支持5A以上的电流，对应的私有协议芯片，也要支持5A以上的充电电流。
应对不断增长的大功率快充市场，智融推出了两款支持140W快充输出的协议芯片，分别是支持1A和1C接口的SW3536和支持2C接口的SW3556，两款芯片均支持私有快充协议，满足20V7A，140W输出功率。
智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积和更高的效率。
SW3536支持非常广泛的快充协议，并支持定制私有快充协议，最大支持20V7A 140W输出，支持3.3-21V 6A PPS快充输出，充分满足现代手机及大功率设备充电需求。
智融SW3556是支持双USB-C口的内置多快充协议的降压控制器芯片，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，并且支持氮化镓开关管，可获得更小的体积和更高的效率。
智融SSW3536和SW3556均为同步整流降压拓扑，支持40V输入，内置同步整流降压控制器，搭配使用硅MOS或氮化镓开关管，电感电容等，即可实现140W大功率输出。内置的降压控制器开关频率为125KHz，支持PFM/PWM模式运行以优化转换效率。
两款芯片均内置输出线损补偿，支持双输出口独立限流，支持过热降功率和过热关机功能。芯片支持引脚外接电阻来配置输出功率以及动态功率分配，无需外置单片机来为多口输出配置。新增了输入电压调节功能，在输出未接入设备时，降低输入电压，从而降低整体功耗，满足更高的能效要求。
两款芯片均内置12位ADC，支持输入电压，输出电压，USB接口输出电流，温度采集，可使用单片机读取芯片参数，实时显示工作状态。采用QFN4*4-28封装，功能更强，封装不变。可用于多口大功率PD充电器，车充，满足多口同时输出。同时，智融支持快充协议的同步降压转换器已经被绿联、努比亚、征拓、品胜、华硕、联想等多家知名品牌使用。
智融SW3536和SW3556两款降压芯片，不仅可以满足大功率手机快充支持，还支持氮化镓应用；利用第三代半导体的高频高效优势，取代传统MOS管，获得更小的体积，更高的效率。在高效输出的同时，减小产品体积，提高产品竞争力。
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非常感谢您耐心看完的我资料，请允许我简单介绍下我司尊信电子：
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计消费类电子方案，例如电子火因，TWS充电仓，移动电源，车充，适配器，无线充等，公司主要是苏州赛芯微Xysemi, 上海钰泰ETAsolutions, 珠海智融SmartWare， 芯海MCU， 成都方舟微，三体微电感等核心战略信合作伙伴，公司现拥有20名资深强大的软件/硬件工程师及25名专业创新的销售团队。本着感恩、尊重、诚信、创新、共赢的合作理念，能为您提供优质时效专业的技术水平和服务，您值得信赖！
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智融SW3536是一颗支持1A1C双USB口输出的降压控制器芯片，内置多快充协议，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，可使用氮化镓开关管，以获得更小的体积和更高的效率。
SW3536支持非常广泛的快充协议，并支持定制私有快充协议，最大支持20V7A 140W输出，支持3.3-21V 6A PPS快充输出，充分满足现代手机及大功率设备充电需求。
智融SW3556是支持双USB-C口的内置多快充协议的降压控制器芯片，支持双口功率盲插，支持双口独立限流。内置的同步降压转换器支持7A大电流输出，并且支持氮化镓开关管，可获得更小的体积和更高的效率。
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两款芯片均内置输出线损补偿，支持双输出口独立限流，支持过热降功率和过热关机功能。芯片支持引脚外接电阻来配置输出功率以及动态功率分配，无需外置单片机来为多口输出配置。新增了输入电压调节功能，在输出未接入设备时，降低输入电压，从而降低整体功耗，满足更高的能效要求。
两款芯片均内置12位ADC，支持输入电压，输出电压，USB接口输出电流，温度采集，可使用单片机读取芯片参数，实时显示工作状态。采用QFN4*4-28封装，功能更强，封装不变。可用于多口大功率PD充电器，车充，满足多口同时输出。同时，智融支持快充协议的同步降压转换器已经被绿联、努比亚、征拓、品胜、华硕、联想等多家知名品牌使用。
智融SW3536和SW3556两款降压芯片，不仅可以满足大功率手机快充支持，还支持氮化镓应用；利用第三代半导体的高频高效优势，取代传统MOS管，获得更小的体积，更高的效率。在高效输出的同时，减小产品体积，提高产品竞争力。
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