离子镀是在真空蒸发镀的基础上，在设备中加入使惰性气体产生辉光放电从而产生等离子体的装置，在等离子体的气氛中，在电场中的等离子体使蒸发出来的原子离子化，等离子体化的蒸发材料与惰性气体离子对基底进行轰击和镀膜。离子镀把辉光放电、等离子体技术与真空蒸发镀膜技术结合在一起，具有沉积速度快、膜层附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等优点，被广泛地应用于弹簧、钕铁硼磁体、飞机蒙皮等表面铝防护涂层的制备。
由王福贞等人提出离子镀铝的 V-P 组织模型，该研究表明，氩气压力和偏压是离子镀铝的重要影响因素。当基体偏压为 0V 时，铝镀层随氩气压力的降低晶体组织出现由粗大的锥状晶，细柱状晶、等轴晶。当氩气压力一定时，晶体随偏压的增加由锥状晶变为细柱状晶，进而变为等轴晶。当氩气压力大于 5×10-3 托时，铝镀层的锥状晶会随氩气压力的增加而变得更加粗大。但是在较高气压下，偏压使基板能量增加幅度很大，也比较容易消除锥状晶和柱状晶组织。故随着氩气压力增加，消除锥状晶及柱状晶所需基板偏压均降低。当氩气压力小于 5x10-2 托时，随着氩气压力的降低，已经有较大的趋势消除锥状晶、柱状晶，形成等轴晶，因此不需等离子体携带更多的能量就可实现锥状晶体的长成。所以随着氩气压力的降低，消除锥状晶和柱状晶所需的基体偏压也逐渐降低。由此可见离子镀 V-P 组织模型的形状是基板偏压和氩压综合作用的结果。
S. Mao 等人通过 IBAD 辅助沉积 Al 单层膜和 Al/Al2O3 多层膜， Al 单层膜的晶体很少是柱状的，Al/Al2O3 多层膜则没有柱状晶，这表明 Ar+的冲击打断了部分柱状晶， Al2O3 的加入完全打断了 Al 柱状晶的生长。进一步研究表明，通过增加 Ar+等离子体可以减少铝膜柱状晶的数量，而且 Al 膜可以完全被 Al2O3 覆盖。
在钕铁硼表面沉积铝和聚合物复合涂层，可发挥二种涂层的优点，显著提高抗腐蚀性能，聚合物可在金属涂层表面限制金属涂层的微裂纹和气泡等缺陷，而且即使聚合物涂层出现缺陷也不会产生电化学腐蚀。Yu 等人先在铝合金上使用离子蒸发镀(IVD)镀上铝膜，再在铝膜上使用阳极磁控增强等离子体镀上一层聚合物涂层，最后进行磷化处理或阴极电镀。结果表明，其形成了蒸发铝膜/等离子聚合物层/后处理层三种涂层的结构，IVD 铝膜层与基体的结合力很好，蒸发镀产生的孔洞结构得到了聚合物涂层的有效封堵，同时聚合物显著地增加了后处理层的抗脱性能，使其具有更好的耐蚀性，经过4 星期的 SO2 盐雾试验和12 个星期的普通盐雾试验，明显好于离子蒸发镀铝层。使用三甲基硅烷作为聚合物涂层时，考虑到对环境的影响没有使用磷化处理，XPS 检测发现聚合物涂层有明显的化学结构特征，聚合物/铝膜层是富硅层，渐变到表面是富碳层，经过经过 4 周的 SO2 盐雾试验和 12 周的普通盐雾试验，发现其耐腐蚀性能明显好于用于对照的使用IVD 镀铝/磷化处理的薄膜结构。
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由上面的分析可知，磁控溅射镀铝的结合力较好，加入偏压后可以使其出现晶体择优取向，蒸发镀铝的膜/基结合力较差，但是蒸发速度快，通过合理控制氩气压力和基板偏压，可以得到致密的等轴晶，在镀铝之后可以增加等离子聚合物涂层或/和后处理层，可有效地提高钕铁硼磁体的耐蚀性。同时，在钕铁硼上镀铝涂层，要使用各种方法打断柱状晶的生长，阻止腐蚀介质的输送和减少发生点蚀的触发点，减少局部腐蚀，从而获得优良的耐腐蚀性能。可有效地提高膜产生类似于多层膜的界面，打断柱状晶生长，获得可能的择优取向，减少腐蚀点的产生，并进行后处理，使其更好地防护钕铁硼磁体。了解更多钕铁硼知识，请微小编：daydayup-80
由王福贞等人提出离子镀铝的 V-P 组织模型，该研究表明，氩气压力和偏压是离子镀铝的重要影响因素。当基体偏压为 0V 时，铝镀层随氩气压力的降低晶体组织出现由粗大的锥状晶，细柱状晶、等轴晶。当氩气压力一定时，晶体随偏压的增加由锥状晶变为细柱状晶，进而变为等轴晶。当氩气压力大于 5×10-3 托时，铝镀层的锥状晶会随氩气压力的增加而变得更加粗大。但是在较高气压下，偏压使基板能量增加幅度很大，也比较容易消除锥状晶和柱状晶组织。故随着氩气压力增加，消除锥状晶及柱状晶所需基板偏压均降低。当氩气压力小于 5x10-2 托时，随着氩气压力的降低，已经有较大的趋势消除锥状晶、柱状晶，形成等轴晶，因此不需等离子体携带更多的能量就可实现锥状晶体的长成。所以随着氩气压力的降低，消除锥状晶和柱状晶所需的基体偏压也逐渐降低。由此可见离子镀 V-P 组织模型的形状是基板偏压和氩压综合作用的结果。
S. Mao 等人通过 IBAD 辅助沉积 Al 单层膜和 Al/Al2O3 多层膜， Al 单层膜的晶体很少是柱状的，Al/Al2O3 多层膜则没有柱状晶，这表明 Ar+的冲击打断了部分柱状晶， Al2O3 的加入完全打断了 Al 柱状晶的生长。进一步研究表明，通过增加 Ar+等离子体可以减少铝膜柱状晶的数量，而且 Al 膜可以完全被 Al2O3 覆盖。
在钕铁硼表面沉积铝和聚合物复合涂层，可发挥二种涂层的优点，显著提高抗腐蚀性能，聚合物可在金属涂层表面限制金属涂层的微裂纹和气泡等缺陷，而且即使聚合物涂层出现缺陷也不会产生电化学腐蚀。Yu 等人先在铝合金上使用离子蒸发镀(IVD)镀上铝膜，再在铝膜上使用阳极磁控增强等离子体镀上一层聚合物涂层，最后进行磷化处理或阴极电镀。结果表明，其形成了蒸发铝膜/等离子聚合物层/后处理层三种涂层的结构，IVD 铝膜层与基体的结合力很好，蒸发镀产生的孔洞结构得到了聚合物涂层的有效封堵，同时聚合物显著地增加了后处理层的抗脱性能，使其具有更好的耐蚀性，经过4 星期的 SO2 盐雾试验和12 个星期的普通盐雾试验，明显好于离子蒸发镀铝层。使用三甲基硅烷作为聚合物涂层时，考虑到对环境的影响没有使用磷化处理，XPS 检测发现聚合物涂层有明显的化学结构特征，聚合物/铝膜层是富硅层，渐变到表面是富碳层，经过经过 4 周的 SO2 盐雾试验和 12 周的普通盐雾试验，发现其耐腐蚀性能明显好于用于对照的使用IVD 镀铝/磷化处理的薄膜结构。
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由上面的分析可知，磁控溅射镀铝的结合力较好，加入偏压后可以使其出现晶体择优取向，蒸发镀铝的膜/基结合力较差，但是蒸发速度快，通过合理控制氩气压力和基板偏压，可以得到致密的等轴晶，在镀铝之后可以增加等离子聚合物涂层或/和后处理层，可有效地提高钕铁硼磁体的耐蚀性。同时，在钕铁硼上镀铝涂层，要使用各种方法打断柱状晶的生长，阻止腐蚀介质的输送和减少发生点蚀的触发点，减少局部腐蚀，从而获得优良的耐腐蚀性能。可有效地提高膜产生类似于多层膜的界面，打断柱状晶生长，获得可能的择优取向，减少腐蚀点的产生，并进行后处理，使其更好地防护钕铁硼磁体。了解更多钕铁硼知识，请微小编：daydayup-80
