了解有关齐纳二极管的基础知识
齐纳二极管是电子电路的一个基本构建模块,其作用是在达到特定反向电压(常称为齐纳电压)时允许大量电流反向流动。
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齐纳二极管是电子电路的一个基本构建模块,其作用是在达到特定反向电压(常称为齐纳电压)时允许大量电流反向流动。达到或超过此反向击穿电压后,齐纳二极管便以恒定基准电压运行。齐纳二极管常用来产生稳定电压,可广泛用于需要将电压钳制或保持在某个限值以下的各种应用。齐纳二极管的另一重要应用领域是钳制不必要的过电压以保护 MOSFET 。
齐纳效应和雪崩效应
电压不超过5V时,在反向偏置结的耗尽区,电子从价带进入导电带形成电子贯穿,从而产生电击穿。一旦电场强度足够高,自由电荷载流子就会导致反向电流陡然增加。此效应由克拉伦斯.梅尔文.齐纳( Clarence Melvin Zener )于1934年首次发现,故以他的名字来命名此类二极管。唯样商城在售二极管三极管 MOSFET ,品牌授权正品现货。
如果电压超过5V,另一种效应会变得更加显著。 PN 结的电场会使过渡区中的电子加速,产生电子空穴对。这些空穴会向负极移动并填上电子,而自由电子则向正极移动。不断移动的空穴和电子通过释放相邻的束缚电子,可以产生更多携带高场强的电荷载流子。电荷载流子大量产生的过程迅速发展成雪崩,因此如果超过特定的反向电压,就会有大量电流开始流动。
电压容差
Nexperia (安世半导体)针对1.8 V 到75V范围的多种不同电压制造了齐纳二极管,并在规定的反向电流下测试了保证容差。标准容差为 B - selection ±2%和 C - selection ±5%左右。为满足更高精度要求, Nexperia (安世半导体)最近推出了 A - selection 齐纳二极管的广泛产品组合,容差为±1%
![](http://tiebapic.baidu.com/forum/w%3D580/sign=9409e81506166d223877159c76210945/dda15081800a19d87dccebdb76fa828ba71e463b.jpg?tbpicau=2024-09-06-05_e391632edaee181840b28456e5d785aa)
齐纳二极管是电子电路的一个基本构建模块,其作用是在达到特定反向电压(常称为齐纳电压)时允许大量电流反向流动。
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齐纳效应和雪崩效应
电压不超过5V时,在反向偏置结的耗尽区,电子从价带进入导电带形成电子贯穿,从而产生电击穿。一旦电场强度足够高,自由电荷载流子就会导致反向电流陡然增加。此效应由克拉伦斯.梅尔文.齐纳( Clarence Melvin Zener )于1934年首次发现,故以他的名字来命名此类二极管。唯样商城在售二极管三极管 MOSFET ,品牌授权正品现货。
如果电压超过5V,另一种效应会变得更加显著。 PN 结的电场会使过渡区中的电子加速,产生电子空穴对。这些空穴会向负极移动并填上电子,而自由电子则向正极移动。不断移动的空穴和电子通过释放相邻的束缚电子,可以产生更多携带高场强的电荷载流子。电荷载流子大量产生的过程迅速发展成雪崩,因此如果超过特定的反向电压,就会有大量电流开始流动。
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Nexperia (安世半导体)针对1.8 V 到75V范围的多种不同电压制造了齐纳二极管,并在规定的反向电流下测试了保证容差。标准容差为 B - selection ±2%和 C - selection ±5%左右。为满足更高精度要求, Nexperia (安世半导体)最近推出了 A - selection 齐纳二极管的广泛产品组合,容差为±1%
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