现今sony使用的是chip bonding，而苹果（LuxVue）正在研发的是Thin film transfer

Chip bonding：晶片黏合係將LED直接進行切割成微米等級的μLED chip（含磊晶薄膜和基板），利用表面黏著技術（SMT， surface-mount technology） 或COB技術（Chip on board），將微米等級的μLED chip一顆一顆鍵接於顯示基板上。

Wafer bonding：晶圓黏合係在LED的磊晶薄膜層上用感應耦合電漿離子蝕刻（ICP），直接形成微米等級的μLED磊晶薄膜結構，此結構之固定間距即為顯示畫素所需的間距，再將LED晶圓（含磊晶層和基板）直接鍵接於驅動電路基板上，最後使用物理或化學機制剝離基板，僅剩4～5μm的μLED磊晶薄膜結構於驅動電路基板上形成顯示畫素。

Thin film transfer：係使用物理或化學機制剝離LED基板，以一暫時基板承載LED磊晶薄膜層，再利用感應耦合電漿離子蝕刻（ICP），形成微米等級的μLED磊晶薄膜結構；或者，先利用感應耦合電漿離子蝕刻（ICP），形成微米等級的μLED磊晶薄膜結構，再使用物理或化學機制剝離LED基板，以一暫時基板承載LED磊晶薄膜結構。最後，根據驅動電路基板上所需的顯示畫素間距，利用具有選擇性的轉移治具，將μLED磊晶薄膜結構進行批量轉移，鍵接於驅動電路基板上形成顯示畫素。

Micro LED Display的顯示原理，係將LED結構設計進行薄膜化、微小化、陣列化，其尺寸僅在1~10μm等級左右；後將μLED批量式轉移至電路基板上（含下電極與電晶體），其基板可為硬性、軟性之透明、不透明基板上；再利用物理沈積製程完成保護層與上電極，即可進行上基板的封裝，完成一結構簡單的Micro LED Display。
μLED典型結構是一PN接面二極體，由直接能隙半導體材料構成。當上下電極施加一順向偏壓於μLED，致使電流通過時，電子、電洞對於主動區（Active region） 復合，而發射出單一色光。μLED發光頻譜其主波長的半高全寬FWHM僅約20nm，可提供極高的色飽和度，通常可大於120%NTSC。

搞得那么麻烦，直接LCD不就完了

QLED最终还是被抛弃了

貌似现在只有爆料说🍎会用在手表上，安卓这边居然没什么消息

没办法小型化那就没意义

目前来看，苹果的Thin film transfer才是未来趋势，不知道本地厂商发展得怎么样，希望国企加入赛道，让我们早日用上便宜的microled

这位就是水果现在的面板技术部的负责人，听说MicroLED已经开始在Apple Watch Ultra上测试了
他的上司还是Johny Srouji

我对microLED的看法是，不需要巨量转移，专注在小面积的显示设备上，比如手表和VR，尤其是VR。
VR显示中 microLED可以做到极高的PPI和像素数量，再配合头显的光学镜片覆盖满视场角，利用好microLED的极高峰值亮度，极高像素密度和极高能效比长寿命，不需要进行巨量转移。
microLED最适合的就是VR XR 手表这这个设备 手机卡在大屏小屏中间 还是比较难受的。

大尺寸量产啥时候实现呢……

再过5年都不可能用在手机上，像素缩小太难，就是现在三星的电视还是大果粒