intel 18a不靠谱_intel吧

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intel 18a不靠谱

刚拿到了intel 18a pdk的部分资料。
从gate length和gate pitch来看，和之前的intel4差不多。
当然intel有所谓的RibbonFET结构，也许晶体管密度能增加很多。
但指望赶上tsmc 2nm估计比较困难。

送TA礼物

IP属地:江苏

来自Android客户端1楼2024-04-01 09:43回复

RibbonFET相当于Gate All Around，是一种晶体管结构，相当于从平面结构变成FinFET那种变化，参考intel的22nm和台积电的20nm就行。GAA的结构是用来限制漏电的。

IP属地:广东

2楼2024-04-01 10:34

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其实早就爆料过啦

IP属地:浙江

来自Android客户端3楼2024-04-01 14:12

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我真不懂啊，我懂的IC设计，最终都只生成在这些位置上布线图案，底下的晶体管层的几何尺寸，你给也可以，不给也无妨

IP属地:广东

4楼2024-04-01 15:41

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@St_Leee @卧楼听松这里有18A相关解读

IP属地:上海

来自Android客户端6楼2024-04-01 16:06

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iBM的实验室2nm产品 CPP是44，N3是45，已经推到极限了，40nm的width，中间隔断大于40，也就120nm的cell height，其实和N3的尺寸变化不大

IP属地:广西

来自iPhone客户端8楼2024-04-01 17:25

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IP属地:辽宁

来自Android客户端9楼2024-04-01 17:33

hp与hd比密度？

IP属地:上海

来自Android客户端10楼2024-04-01 17:45

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胡扯八道

IP属地:北京

来自Android客户端11楼2024-04-01 19:29

GAA做成这样，那些什么M2P也是一样的

IP属地:广东

12楼2024-04-01 22:43

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盲猜最终性能提高5-10%

IP属地:福建

来自Android客户端13楼2024-04-02 00:25

都到了GAA了还在算gate length，文盲吧，FinFet这么多年白用了。

IP属地:瑞士

来自Android客户端14楼2024-04-02 15:51

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IP属地:广东

15楼2024-04-03 00:02

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“背面供电不是你理解的这样子。只是用在standard cell上的”——建议你还是先找intel官方powervia的讲解视频看看：左边是传统芯片剥面图，右边就是“背面供面”芯片的剥面图——传统芯片是“power and signal”都混在晶体管层（transistors）的同一侧，就是左图的上部；“背面供面”芯片把“power”移到了下面，晶体管层（transistors）夹在两个层中间，就是我圈出来那块。