onsemi安森美NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET一级代理分销经销库
onsemi安森美NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET一级代理分销经销库
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
安森美（onsemi）NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是设计用于快速开关应用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。该MOSFET由18V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动器配合使用。NVBG070N120M3S碳化硅MOSFET具有57nC超低栅极电荷、57pF高速开关（低电容）以及65mΩ典型漏极-源极导通电阻（VGS= 18V时）。该MOSFET已100%通过雪崩测试，符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG070N120M3S SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，符合无铅2LI（二级互连）以及RoHS指令（7a豁免）。典型应用包括车载充电器和直流/直流转换器（用于EV/HEV）。
特性
D2PAK-7L封装
栅极驱动器范围：15V至18V
M3S技术（64.3mΩ RDS(ON)，具有低EON 和EOFF 损耗）
100%经雪崩测试
符合AEC-Q101汽车标准
无铅2LI（二极互连）
不含卤素，符合RoHS指令，7a豁免
规范
57nC超低栅极电荷
57pF高速开关，具有低电容
漏极-源极导通电阻（VGS= 18V时）：65mΩ（典型值）
最大零栅极电压漏极电流：100µA
正向跨导：12s（典型值）
输入电容：1230pF（典型值）
输出电容：57pF（典型值）
拉电流（体二极管）：33A
单脉冲漏极至源极雪崩能量：91mJ
最高焊接温度 (10s)：270°
工作结温范围：-55°C至175°C
储存温度范围：-55°C至175°C
应用
汽车车载充电器
汽车直流/直流变换器，用于EV/HEV
封装尺寸
所有类别 Circuit Protection Electromechanical Embedded Solutions Optoelectronics Passive Components Power RF & Wireless Semiconductors Sensors Thermal Management
onsemi NCP81428 PmBus®热插拔智能保险丝
设计用于防止过流、过压、短路和过多浪涌电流。
2024/6/7
onsemi N34C04 4Kb串行EEPROM
可实现DDR4 DIMM的JEDEC JC42.4（EE1004−v）Serial Presence Detect（SPD）规范。
2024/6/10
onsemi N34TS04数字输出温度传感器
温度传感器和SPD EEPROM，执行JEDEC TSE2004av DDR4规范。
2024/6/10
onsemi N34TS108数字输出温度传感器
包括动态可编程限值窗口以及温度过低和过高警报功能。
2024/6/10
onsemi AFGHxL40T车规级IGBT
符合AEC-Q101标准，采用坚固的场终止型VII沟槽结构。
2024/6/12
onsemi AR0234CS CMOS数字图像传感器
200万像素CMOS数字图像传感器，具有1/2.6英寸尺寸和1920 x 1200像素阵列。
2024/6/12
onsemi PowerTrench技术
从T6到T10的转变尤其代表了PowerTrench技术的进步。
2024/6/18
onsemi AR2020 Hyperlux™ LP 20 MP图像传感器
1/1.8”背面照明堆叠CMOS数字图像传感器，采用5120 x 3840有源像素阵列。
2024/6/19
onsemi ASX344AT CMOS图像传感器
有源像素单芯片CMOS、VGA格式 ，设计用于汽车应用。
2024/6/20
onsemi NV25xLV SPI低电压串行EEPROM
SPI低压EEPROM是汽车级1级器件，内部结构为1K/2K/4K/8Kx8位。
2024/6/25
onsemi CAT93C46B Microwire串行EEPROM
可配置为128个8位寄存器（ORG引脚位于GND处）或64个16位寄存器（ORG引脚位于VCC处）。
2024/7/1
onsemi NL17SG08 MiniGate单通道双输入与门
该器件是一款先进的高速CMOS双输入与门，占位面积超小。
2024/7/1
onsemi 双NPN双极数字晶体管
设计用于替代单个器件和额外的外部电阻偏置网络。
2024/7/1
onsemi NL27WZ07开漏双缓冲器
高性能双缓冲器，具有开漏输出，采用1.65V至5.5V电源供电。
2024/7/1
onsemi NSR30CM3肖特基势垒二极管
设计用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。
2024/7/1
onsemi e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管
这些SMD具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和大电流增益能力。
2024/7/1
onsemi N24Cx I2C串行EEPROM
这些器件支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速+（1MHz）I2C协议。
2024/7/8
onsemi CAT25x SPI串行EEPROM
这些器件具有64字节或128字节页面写入缓冲区，支持SPI协议。
2024/7/8
onsemi CAT34C02 2Kb串行I2C EEPROM
它们的内部安排为16页，每页16字节，总共256字节，每字节8位。
2024/7/29
onsemi CAT25M01 1Mb串行SPI EEPROM
128Kx8位的排列，支持SPI协议，具有256字节页面写入缓冲器。
2024/7/29
onsemi LC709204V电池电量计
适用于单节锂离子/聚合物电池，属于智能LiB电量计系列的一部分。
2024/8/2
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用TO-247-4L封装。
2024/8/6
onsemi NCx51152隔离式单通道栅极驱动器
设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。
2024/8/9
onsemi NCV51313高侧栅极驱动器
130V驱动器，具有2.0A拉电流和3.0A灌电流驱动能力，适用于DC-DC电源和逆变器。
2024/8/13
onsemi N24C008 8Kb I2C CMOS串行EEPROM
此系列器件支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速+（1MHz）I2C协议。
2024/8/14
onsemi安森美NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET一级代理分销经销库
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
安森美（onsemi）NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是设计用于快速开关应用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。该MOSFET由18V栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动器配合使用。NVBG070N120M3S碳化硅MOSFET具有57nC超低栅极电荷、57pF高速开关（低电容）以及65mΩ典型漏极-源极导通电阻（VGS= 18V时）。该MOSFET已100%通过雪崩测试，符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。NVBG070N120M3S SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，符合无铅2LI（二级互连）以及RoHS指令（7a豁免）。典型应用包括车载充电器和直流/直流转换器（用于EV/HEV）。
特性
D2PAK-7L封装
栅极驱动器范围：15V至18V
M3S技术（64.3mΩ RDS(ON)，具有低EON 和EOFF 损耗）
100%经雪崩测试
符合AEC-Q101汽车标准
无铅2LI（二极互连）
不含卤素，符合RoHS指令，7a豁免
规范
57nC超低栅极电荷
57pF高速开关，具有低电容
漏极-源极导通电阻（VGS= 18V时）：65mΩ（典型值）
最大零栅极电压漏极电流：100µA
正向跨导：12s（典型值）
输入电容：1230pF（典型值）
输出电容：57pF（典型值）
拉电流（体二极管）：33A
单脉冲漏极至源极雪崩能量：91mJ
最高焊接温度 (10s)：270°
工作结温范围：-55°C至175°C
储存温度范围：-55°C至175°C
应用
汽车车载充电器
汽车直流/直流变换器，用于EV/HEV
封装尺寸
所有类别 Circuit Protection Electromechanical Embedded Solutions Optoelectronics Passive Components Power RF & Wireless Semiconductors Sensors Thermal Management
onsemi NCP81428 PmBus®热插拔智能保险丝
设计用于防止过流、过压、短路和过多浪涌电流。
2024/6/7
onsemi N34C04 4Kb串行EEPROM
可实现DDR4 DIMM的JEDEC JC42.4（EE1004−v）Serial Presence Detect（SPD）规范。
2024/6/10
onsemi N34TS04数字输出温度传感器
温度传感器和SPD EEPROM，执行JEDEC TSE2004av DDR4规范。
2024/6/10
onsemi N34TS108数字输出温度传感器
包括动态可编程限值窗口以及温度过低和过高警报功能。
2024/6/10
onsemi AFGHxL40T车规级IGBT
符合AEC-Q101标准，采用坚固的场终止型VII沟槽结构。
2024/6/12
onsemi AR0234CS CMOS数字图像传感器
200万像素CMOS数字图像传感器，具有1/2.6英寸尺寸和1920 x 1200像素阵列。
2024/6/12
onsemi PowerTrench技术
从T6到T10的转变尤其代表了PowerTrench技术的进步。
2024/6/18
onsemi AR2020 Hyperlux™ LP 20 MP图像传感器
1/1.8”背面照明堆叠CMOS数字图像传感器，采用5120 x 3840有源像素阵列。
2024/6/19
onsemi ASX344AT CMOS图像传感器
有源像素单芯片CMOS、VGA格式 ，设计用于汽车应用。
2024/6/20
onsemi NV25xLV SPI低电压串行EEPROM
SPI低压EEPROM是汽车级1级器件，内部结构为1K/2K/4K/8Kx8位。
2024/6/25
onsemi CAT93C46B Microwire串行EEPROM
可配置为128个8位寄存器（ORG引脚位于GND处）或64个16位寄存器（ORG引脚位于VCC处）。
2024/7/1
onsemi NL17SG08 MiniGate单通道双输入与门
该器件是一款先进的高速CMOS双输入与门，占位面积超小。
2024/7/1
onsemi 双NPN双极数字晶体管
设计用于替代单个器件和额外的外部电阻偏置网络。
2024/7/1
onsemi NL27WZ07开漏双缓冲器
高性能双缓冲器，具有开漏输出，采用1.65V至5.5V电源供电。
2024/7/1
onsemi NSR30CM3肖特基势垒二极管
设计用于高速开关应用、电路保护和电压钳位。
2024/7/1
onsemi e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管
这些SMD具有超低饱和电压 (VCE(sat)) 和大电流增益能力。
2024/7/1
onsemi N24Cx I2C串行EEPROM
这些器件支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速+（1MHz）I2C协议。
2024/7/8
onsemi CAT25x SPI串行EEPROM
这些器件具有64字节或128字节页面写入缓冲区，支持SPI协议。
2024/7/8
onsemi CAT34C02 2Kb串行I2C EEPROM
它们的内部安排为16页，每页16字节，总共256字节，每字节8位。
2024/7/29
onsemi CAT25M01 1Mb串行SPI EEPROM
128Kx8位的排列，支持SPI协议，具有256字节页面写入缓冲器。
2024/7/29
onsemi LC709204V电池电量计
适用于单节锂离子/聚合物电池，属于智能LiB电量计系列的一部分。
2024/8/2
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用TO-247-4L封装。
2024/8/6
onsemi NCx51152隔离式单通道栅极驱动器
设计用于快速开关，以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET电源开关。
2024/8/9
onsemi NCV51313高侧栅极驱动器
130V驱动器，具有2.0A拉电流和3.0A灌电流驱动能力，适用于DC-DC电源和逆变器。
2024/8/13
onsemi N24C008 8Kb I2C CMOS串行EEPROM
此系列器件支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速+（1MHz）I2C协议。
2024/8/14
