DW03D具有过充,过放,过流,短路等所有的电池所需保护功能,并且工作时功耗非常低。 该芯片不仅仅是为手机而设计,也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的 应用场合。
一、 特点
� 内 部集 成等 效 45mΩ-60mΩ 的 先进 的功 率
MOSFET;
� 过充电流保护;
� 3 段过流保护:过放电流 1、过放电流 2(可选)、
负载短路电流;
� 充电器检测功能;
� 延时时间内部设定;
� 高精度电压检测;
� 低静态耗电流:正常工作电流 3.8uA
� 兼容 ROHS 和无铅标准。
� 采用 TSSOP-8 封装形式塑封。
二、 应用
� 单芯锂离子电池组; � 锂聚合物电池组。
一、 特点
� 内 部集 成等 效 45mΩ-60mΩ 的 先进 的功 率
MOSFET;
� 过充电流保护;
� 3 段过流保护:过放电流 1、过放电流 2(可选)、
负载短路电流;
� 充电器检测功能;
� 延时时间内部设定;
� 高精度电压检测;
� 低静态耗电流:正常工作电流 3.8uA
� 兼容 ROHS 和无铅标准。
� 采用 TSSOP-8 封装形式塑封。
二、 应用
� 单芯锂离子电池组; � 锂聚合物电池组。









