理论上可以

明显不能，因为就是多少nm间距精度，gaa是形式改变。

可以，结构和线宽本来就是两回事

不能等效吧！晶体管尺寸和最小线宽，决定了单位面积晶体管数量密度
。
而组成 SOC每个功能单元CPU GPU ISP NPU 基带 ，寄存器 cache SRAM 的 ，，与、或、非 相互组合逻辑电路，传输门、三态门 OD开漏门，模拟线性电路， ，基本单位“晶体管”一个都不能省
。
GaaFET 工艺，只是降低单个晶体管 开关损耗，可以提高逻辑电路工作时钟频率，降发热功耗，，电路上是和FinFET晶体管一比一功能替换，，Gaa工艺省不了晶体管
。
相同工艺制程下单个晶体管面积占用，GaaFET 还更大，根本替换不了
。
而且华为没有芯片FAB工厂晶圆制造能力，芯片封测都是找 国内外包的

成本

理论上来说是可以的

现在的晶体管工艺只能提供部分改善已经提供不了全局改善了这是chiplet兴起的背景。无背供电的gaa改善的主要是3g出头的能效，你要跑个接近4g的水平它只能带来副作用。3g以下gaa工艺跟n3p不会有什么差异。2g以下测出互有胜负也不奇怪。gaa甚至会小幅恶化1g以下的能效。

他要是真不计成本就搞chiplet，8核一组的堆上24个核，频率就定在能效最高的位置，做出X3D缓存，再试试把内存也封装到一起去。要不就等他慢慢打磨技术路线吧

成本是最关键的因素，GAA良率能上去吗？步骤多多少？