分子束外延系统MBE
OCTOPLUS 800 分子束外延系统兼容7x2英寸,3x3英寸或单片最大6英寸衬底,适用于III/V族, II/VI族,SiGe或其他异质结构材料生长应用研发与生产。
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标准MBE系统-OCTOPLUS 800
腔体尺寸: 800 mm ID,液氮冷屏
本底真空: < 5 × 10-11 mbar
真空系统: 冷泵+离子泵+钛升华泵
样品尺寸: 8",6",4",3x3",7x2"
加 热 器: 可选Ta/PG/W材质,温度可达800℃,1000℃或1400℃
源炉法兰: 12 × DN 100 CF
应用领域: SiGe,III-V, II-VI等
分子束外延系统(MBE)、 脉冲激光沉积系统(PLD)、 反射式高能电子衍射仪(RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪
OCTOPLUS 800 分子束外延系统兼容7x2英寸,3x3英寸或单片最大6英寸衬底,适用于III/V族, II/VI族,SiGe或其他异质结构材料生长应用研发与生产。
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标准MBE系统-OCTOPLUS 800
腔体尺寸: 800 mm ID,液氮冷屏
本底真空: < 5 × 10-11 mbar
真空系统: 冷泵+离子泵+钛升华泵
样品尺寸: 8",6",4",3x3",7x2"
加 热 器: 可选Ta/PG/W材质,温度可达800℃,1000℃或1400℃
源炉法兰: 12 × DN 100 CF
应用领域: SiGe,III-V, II-VI等
分子束外延系统(MBE)、 脉冲激光沉积系统(PLD)、 反射式高能电子衍射仪(RHEED)、蒸发源、 离子源、电子枪