WMO048NV6HG4 维安MOS代理 马小姐
65V N沟道增强型功率MOSFET
WMO048NV6HG4采用Wayon的第四代功率沟槽MOSFET技术，该技术特别针对最小化导通电阻和保持优异的开关性能进行了定制。该器件非常适合高效快速开关应用
Vos = 65V，ID = 90A
Ros（on）< 5.2mΩ @ Ves= 10V
低 RDS（ON）
100% EAS 保证
高速功率开关
应用程序
同步整流
DC/DC 转换器