7nm瓶颈显现，芯片性能提升只能挤牙膏了。

前几天看到a12芯片的跑分，提升相对于a11并不是很大，一直在琢磨着原因。经过@氢氟酸和浓硝酸大神的提示，终于把原因扒了出来。

由于随着晶体管的微缩，芯片的发热和功耗难以解决，芯片中有一部分晶体管是不能同时工作的，这些不能工作的晶体管称之为暗硅，暗硅的比例已经从10nm的56%上升到了如今7nm的75%。

由于不能降低晶体管单位功耗（power per transistor），如今半导体器件已经进入暗硅（dark silicon）时代：为了满足功耗设计要求，通常情况一颗芯片只有部分晶体管在工作，而其余部分晶体管则处于休眠状态。
　　举例来说，假设功耗预算相同，一颗28纳米工艺的芯片，若分别采用20纳米、16/14纳米、10纳米、7纳米或5纳米来生产，那么设计时须保证同一时刻各有一定比例的晶体管不能工作，这个比例将依次为33%、45%、56%、75%与80%。

10nm到7nm已经需要增加近20%的暗硅

也就是说7nm相对于10nm性能提升30%只是理论上的，实际散热无法解决，芯片内的一部分晶体管没有工作

扫二维码下载贴吧客户端

下载贴吧APP
看高清直播、视频！

4回复贴，共1页

<<返回wp7吧

分享到:

日	一	二	三	四	五	六